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27.10.2017 | S.I. : Computational Electronics of Emerging Memory Elements | Ausgabe 4/2017

Journal of Computational Electronics 4/2017

Review of physics-based compact models for emerging nonvolatile memories

Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics > Ausgabe 4/2017
Autoren:
Nuo Xu, Pai-Yu Chen, Jing Wang, Woosung Choi, Keun-Ho Lee, Eun Seung Jung, Shimeng Yu

Abstract

A generic compact modeling methodology for emerging nonvolatile memories is proposed by coupling comprehensive physical equations from multiple domains (e.g., electrical, thermal, magnetic, phase transitions). This concept has been applied to three most promising emerging memory candidates: PCM, STT-MRAM, and RRAM to study their device physics as well as to evaluate their circuit-level performance. The models’ good predictability to experiments and their effectiveness in large-scale circuit simulation suggest their unique role in emerging memory research and development.

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Literatur
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