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Room temperature ferromagnetism in chemically synthesized dilute magnetic semiconducting (In0.95Mn0.05)2O3 nanoparticles

  • 12.11.2020
Erschienen in:

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Abstract

Das einphasige nanokristalline In2O3, das mit 5 Prozent Mn dotiert ist, produziert verdünnte magnetische Halbleiter (DMS). Das Material wird durch eine "pyrophorische Reaktion" bei niedriger Temperatur unter Verwendung von Nitratsalzen und Diethanolamin synthetisiert. Das Röntgenmuster bei Raumtemperatur zeigt die Bildung einer kubischen Bixbyit-Struktur des Oxids mit nanostrukturiertem Korn, die durch FESEM bestätigt wird. Magnetisierungsdaten bestätigen ferromagnetisches Verhalten bei Raumtemperatur mit allmählicher Abnahme der Magnetisierung bei Temperaturanstieg. Der Phasenübergang bei 500 K wird auf die Transformation des ferromagnetischen zu paramagnetischen Zustandes der nanometrischen Probe zurückgeführt. Die inverse magnetische Empfindlichkeit von Curie-Weiß [1 (T) gegen die Temperatur ergab das effektive Bohr-Magneton (μeff) auf ~ 3,65 μB / Mn-Ionen. Ferromagnetismus könnte aus gemischten Valenzzuständen entstanden sein (Mn4 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3 + Mn3), das durch chemischen Zustand bestimmt wurde.

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Titel
Room temperature ferromagnetism in chemically synthesized dilute magnetic semiconducting (In0.95Mn0.05)2O3 nanoparticles
Verfasst von
Bhakti Pada Das
Akash Oraon
Tapan Kumar Nath
Tapasendra Adhikary
Shampa Aich
Panchanan Pramanik
Publikationsdatum
12.11.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 24/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-020-04814-5
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