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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 7/2020

01.07.2020 | SEMICONDUCTOR STRUCTURES, LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS, AND QUANTUM PHENOMENA

Scattering Matrix Method for Calculating the Spontaneous-Emission Probability in Cylindrically Symmetric Structures

verfasst von: V. V. Nikolaev, K. A. Ivanov, K. M. Morozov, A. V. Belonovski

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 7/2020

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Abstract

A method is developed for analyzing spontaneous-emission modification in cylindrically symmetric structures. A matrix method is developed for cylindrical structures. General expressions for the radiative-recombination rate are derived for an emitter placed at any point on the structure. Quantitative indicators for estimating radiative-recombination enhancement and suppression are determined; they can be considered as modal Purcell factors. An expression for the total Purcell factor is derived for an emission direction perpendicular to the symmetry axes of the medium; as well as an expression for the integral (total) Purcell factor for the emitter at the symmetry axis.
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Literatur
1.
J. M. Dudley and J. R. Taylor, Supercontinuum Generation in Optical Fibers (Cambridge Univ. Press, Cambridge, 2010).CrossRef
2.
3.
4.
J. B. Pendry, A. J. Holden, D. J. Robbins, and W. J. Stewart, J. Phys.: Condens. Matter 10, 4785 (1998).ADS
5.
V. G. Dubrovskii, G. E. Cirlin, and V. M. Ustinov, Semiconductors 43, 1539 (2009).ADSCrossRef
6.
M. A. Kaliteevski, S. Brand, R. A. Abram, A. Kavokin, and L. S. Dang, Phys. Rev. B 75, 233309 (2007).ADSCrossRef
7.
E. I. Moiseev, N. Kryzhanovskaya, Y. S. Polubavkina, M. V. Maximov, M. M. Kulagina, Y. M. Zadiranov, and A. E. Zhukov, ACS Photon. 4, 275 (2017).
8.
G. E. Cirlin, V. G. Dubrovskii, Y. B. Samsonenko, A. D. Bouravleuv, K. Durose, Y. Y. Proskuryakov, B. Mendes, L. Bowen, M. A. Kaliteevski, R. A. Abram, and D. Zeze, Phys. Rev. B 82, 035302 (2010).ADSCrossRef
9.
10.
11.
M. M. Glazov, E. L. Ivchenko, A. N. Poddubny, and G. Khitrova, Phys. Solid State 53, 1753 (2011).ADSCrossRef
12.
A. R. Gubaydullin, C. Symonds, J. Bellessa, K. A. Ivanov, E. D. Kolykhalova, M. E. Sasin, A. Lemaitre, P. Scnellart, G. Pozina, and M. A. Kaliteevski, Sci. Rep. 7, 9014 (2017).ADSCrossRef
13.
M. A. Kaliteevskii, V. A. Mazlin, K. A. Ivanov, and A. R. Gubaydullin, Opt. Spectrosc. 119, 832 (2015).ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Scattering Matrix Method for Calculating the Spontaneous-Emission Probability in Cylindrically Symmetric Structures
verfasst von
V. V. Nikolaev
K. A. Ivanov
K. M. Morozov
A. V. Belonovski
Publikationsdatum
01.07.2020
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 7/2020
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782620070106

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