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Erschienen in: Semiconductors 8/2012

01.08.2012 | Physics of Semiconductor Devices

Schottky contacts to high-resistivity epitaxial GaAs layers for detectors of particles and X- or γ-ray photons

verfasst von: G. I. Koltsov, S. I. Didenko, A. V. Chernykh, S. V. Chernykh, A. P. Chubenko, Yu. N. Sveshnikov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2012

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Metadaten
Titel
Schottky contacts to high-resistivity epitaxial GaAs layers for detectors of particles and X- or γ-ray photons
verfasst von
G. I. Koltsov
S. I. Didenko
A. V. Chernykh
S. V. Chernykh
A. P. Chubenko
Yu. N. Sveshnikov
Publikationsdatum
01.08.2012
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2012
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261208009X

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