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2014 | OriginalPaper | Buchkapitel

3. Semiconductors as Laser Material 1: Fundamentals

verfasst von : David J. Klotzkin

Erschienen in: Introduction to Semiconductor Lasers for Optical Communications

Verlag: Springer New York

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Abstract

The descriptive overview provided in this chapter is a prelude to the mathematical modeling of semiconductor and optical properties that follows in later chapters. Here, we discuss the relevant properties of semiconductor quantum wells from the point of view of applications for semiconductor lasers. First, we introduce the general idea that semiconductor lasers are composed of mixtures of semiconductors designed to select the appropriate lattice constant and bandgap. The physical limits of mixing of different semiconductors are covered. Practical factors that influence the use and fabrication of semiconductors for lasers including factors such as direct and indirect bandgaps, and strain and critical thickness, are discussed.

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Fußnoten
1
However, researchers have demonstrated lasing through Raman scattering on Si. This breakthough may eventually lead to practical laser light sources on Si!
 
2
S. O. Kasap, Optoelectronics and Photonics: Principles and Practices. Upper Saddle River, NJ: Prentice Hall, 2001.
 
Metadaten
Titel
Semiconductors as Laser Material 1: Fundamentals
verfasst von
David J. Klotzkin
Copyright-Jahr
2014
Verlag
Springer New York
DOI
https://doi.org/10.1007/978-1-4614-9341-9_3

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