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Microsystem Technologies
Erschienen in: Microsystem Technologies 5/2010

01.05.2010 | Technical Paper

Shallow and deep dry etching of silicon using ICP cryogenic reactive ion etching process

verfasst von: Ü. Sökmen, A. Stranz, S. Fündling, S. Merzsch, R. Neumann, H.-H. Wehmann, E. Peiner, A. Waag

Erschienen in: Microsystem Technologies | Ausgabe 5/2010

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Abstract

We achieved to etch nanostructures as well as structures with high aspect ratios in silicon using an inductively coupled plasma cryogenic deep reactive ion etching process. We etched cantilevers, submicron diameter pillars, membranes and deep structures in silicon with etch rates between 13 nm/min and 4 μm/min. These structures find applications as templates for metal organic vapour phase epitaxial growth of GaN-based nanostructures for optoelectronic devices or they are the basic constituents of a nanoparticle balance in the subnanogram range and of a thermoelectric generator.
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Literatur
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Fündling S, Li S, Sökmen Ü, Merzsch S, Hinze P, Weimann T, Jahn U, Trampert A, Riechert H, Peiner E, Wehmann H-H, Waag A (2009) Three-dimensionally structured silicon as a substrate for the MOVPE growth of GaN nanoLEDs. Phys Status Solidi A 206(6):1194–1198. doi:10.​1002/​pssa.​200880841
Hochbaum AI, Chen R, Delgado RD, Liang W, Garnett EC, Najarian M, Majumdar A, Yang P (2008) Enhanced thermoelectric performance of rough silicon nanowires. Nature 451:163–167CrossRef
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Noudem JG, Lemonnier S, Prevel M, Reddy ES, Guilmeau E, Goupil C (2008) Thermoelectric ceramics for generators. J Eur Ceram Soc 28:41–48CrossRef
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Tanner SM, Gray JM, Rogers CT, Bertness KA, Sanford NA (2007) High-Q GaN nanowire resonators and oscillators. Appl Phys Lett 91(203117):1–3
Metadaten
Titel
Shallow and deep dry etching of silicon using ICP cryogenic reactive ion etching process
verfasst von
Ü. Sökmen
A. Stranz
S. Fündling
S. Merzsch
R. Neumann
H.-H. Wehmann
E. Peiner
A. Waag
Publikationsdatum
01.05.2010
Verlag
Springer-Verlag
Erschienen in
Microsystem Technologies / Ausgabe 5/2010
Print ISSN: 0946-7076
Elektronische ISSN: 1432-1858
DOI
https://doi.org/10.1007/s00542-010-1035-7

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