2020 | OriginalPaper | Buchkapitel
Short Channel Effects (SCEs) Based Comparative Study of Double-Gate (DG) and Gate-All-Around (GAA) FinFET Structures for Nanoscale Applications
verfasst von : Vadthiya Narendar, Richa Parihar, Ashutosh Kumar Pandey
Erschienen in: Advances in VLSI, Communication, and Signal Processing
Verlag: Springer Singapore
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