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Siliziumkarbidhalbleiter mit breitem Bandabstand für Elektrofahrzeuge

  • 01.04.2021
  • Titelthema
Erschienen in:

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Auszug

Der Beitrag beleuchtet die wachsende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und die damit verbundenen Herausforderungen hinsichtlich Reichweite und Kosten. United Silicon Carbide hat Siliziumkarbidhalbleiter entwickelt, die effizientere elektrische Antriebsstränge und Leistungsbauteile ermöglichen. Diese Halbleiter bieten Vorteile wie geringere Verluste und höhere Effizienz, was die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöht. Die neueste Generation dieser Halbleiter, die als gestapelte Kaskoden aufgebaut sind, zeichnet sich durch niedrige Einschaltwiderstände und hohe Robustheit aus. Der Beitrag geht auch auf die Anwendung dieser Halbleiter in Schnellladegeräten und deren Vorteile im Vergleich zu herkömmlichen IGBT-Modulen ein. Die Verwendung von SiC-FETs kann die Leistung und Effizienz von Elektrofahrzeugen erheblich steigern, was sowohl für die Automobilindustrie als auch für die Energietechnik von großer Bedeutung ist.

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Titel
Siliziumkarbidhalbleiter mit breitem Bandabstand für Elektrofahrzeuge
Verfasst von
Anup Bhalla
Publikationsdatum
01.04.2021
Verlag
Springer Fachmedien Wiesbaden
Erschienen in
ATZelektronik / Ausgabe 4/2021
Print ISSN: 1862-1791
Elektronische ISSN: 2192-8878
DOI
https://doi.org/10.1007/s35658-021-0594-y
    Bildnachweise
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