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Erschienen in:
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2001 | OriginalPaper | Buchkapitel

Simulation and Prediction of Aspect Ratio Dependent Phenomena during Si02 and Si Feature Etching in Fluorocarbon Plasmas

verfasst von : George Kokkoris, Evangelos Gogolides, G. Boudouvis Gogolides

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001

Verlag: Springer Vienna

Enthalten in: Professional Book Archive

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A simulator to calculate etching rates in Si02 and Si features in fluorocarbon plasmas has been developed. This simulator links the gas (plasma) phase composition with the etching rate inside features and it is used for predicting aspect ratio dependent phenomena during Si02 and Si feature etching.

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Metadaten
Titel
Simulation and Prediction of Aspect Ratio Dependent Phenomena during Si02 and Si Feature Etching in Fluorocarbon Plasmas
verfasst von
George Kokkoris
Evangelos Gogolides
G. Boudouvis Gogolides
Copyright-Jahr
2001
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001

Print ISBN: 978-3-7091-7278-0

Electronic ISBN: 978-3-7091-6244-6

Copyright-Jahr: 2001

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-7091-6244-6_38

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