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01.06.2015 | Ausgabe 6/2015

Optical and Quantum Electronics 6/2015

Simulation of a ridge-type semiconductor laser with selective double-sided anti-guiding and partially undoped cladding layers

Zeitschrift:
Optical and Quantum Electronics > Ausgabe 6/2015
Autoren:
Daiya Katsuragawa, Takahiro Numai

Abstract

A ridge-type semiconductor laser with selective double-sided anti-guiding and partially undoped cladding layers is proposed, and lasing characteristics are simulated. With increases in the height and width of the selective double-sided anti-guiding layers, both kink-level and threshold current increase. With an increase in the thickness of the partially undoped cladding layers, the kink-level increases. There is an optimum value for the thickness of the partially undoped cladding layers to minimize the threshold current with maintaining kink-free operation. The lowest threshold current for kink-free operation is 46.1 mA, which is much lower than the previous lowest value of 57.0 mA.

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