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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 4/2013

01.12.2013

Simulation of deep level traps effects in quantum well transistor laser

verfasst von: Ashkan Horri, Rahim Faez

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2013

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Abstract

In this paper, we present an analytical model to analyze the influence of deep level traps on the static and dynamic responses of transistor laser (TL). Our analyze is based on analytically solving the continuity equation and rate equations including the effect of the deep level trap (DLT), which incorporate the virtual states as a conversion mechanism.
The results of simulation show that the main characteristics of laser such as threshold current, quantum efficiency, output power, and modulation bandwidth are affected by total density of traps in the active region.
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Metadaten
Titel
Simulation of deep level traps effects in quantum well transistor laser
verfasst von
Ashkan Horri
Rahim Faez
Publikationsdatum
01.12.2013
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 4/2013
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-013-0495-2

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