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01.12.2015 | XIX Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 10–14, 2015 | Ausgabe 12/2015

Semiconductors 12/2015

Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 12/2015
Autoren:
Yu. G. Sadofyev, V. P. Martovitsky, A. V. Klekovkin, V. V. Saraykin, I. S. Vasil’evskii

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