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Erschienen in: Semiconductors 12/2015

01.12.2015 | XIX Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 10–14, 2015

Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 12/2015

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Metadaten
Titel
Sn-enriched Ge/GeSn nanostructures grown by MBE on (001) GaAs and Si wafers
Publikationsdatum
01.12.2015
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 12/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615120179

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