2013 | OriginalPaper | Buchkapitel
Source-End Layouts on ESD/LU Reliabilities in an HV 0.25 um 60 V nLDMOS
verfasst von : Shen-Li Chen, Min-Hua Lee, Tzung-Shian Wu, Yi-Sheng Lai, Chun-Ju Lin, Hsun-Hsiang Chen
Erschienen in: Intelligent Technologies and Engineering Systems
Verlag: Springer New York
Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by