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Journal of Computational Electronics
Erschienen in:

14.09.2023

Special issue on ab initio simulations of electron and phonon transport in nanostructures

verfasst von: Mathieu Luisier, Samuel Poncé

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 5/2023

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Excerpt

The seamless integration of novel materials into semiconductor manufacturing process has spurred the development of sophisticated modeling tools capable of supporting the experimental activity and of shedding light on the behavior of the resulting devices. A fundamental aspect of device functionality lies in the transport of charged carriers. Accurately describing this transport requires to go beyond classical simulation approaches such as the drift–diffusion equations and to adopt state-of-the-art techniques based on quantum physics including tunnelling, confinement, and band-structure effects as well as carrier interactions with phonons, photons, surfaces, grain boundaries, or impurities to help design next-generation nanoscale devices. …
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Metadaten
Titel
Special issue on ab initio simulations of electron and phonon transport in nanostructures
verfasst von
Mathieu Luisier
Samuel Poncé
Publikationsdatum
14.09.2023
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 5/2023
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-023-02094-w

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