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01.01.2016 | Physics of Semiconductor Devices | Ausgabe 1/2016

Semiconductors 1/2016

Specific features of the current–voltage characteristics of SiO2/4H-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 1/2016
Autoren:
A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, T. Sledziewski, S. A. Reshanov, A. Schöner, M. Krieger

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