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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/2016

01.01.2016 | Physics of Semiconductor Devices

Specific features of the current–voltage characteristics of SiO2/4H-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide

verfasst von: A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, T. Sledziewski, S. A. Reshanov, A. Schöner, M. Krieger

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2016

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Metadaten
Titel
Specific features of the current–voltage characteristics of SiO2/4H-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide
verfasst von
A. I. Mikhaylov
A. V. Afanasyev
V. A. Ilyin
V. V. Luchinin
T. Sledziewski
S. A. Reshanov
A. Schöner
M. Krieger
Publikationsdatum
01.01.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616010152

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