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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in:

06.08.2016

Spectroscopic investigations of RF sputtered Dy:ZnO as a conductive thin film nanophosphor

verfasst von: R. Vinodkumar, M. S. Sajna, V. P. Prakashan, N. V. Unnikrishnan

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 12/2016

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Abstract

Highly intense blue photoluminescence emission was observed from Dy doped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering technique at a substrate temperature of 500 °C on to quartz substrate. X-ray diffraction (XRD) and the Raman spectra for the as deposited and Dy incorporated ZnO thin films suggest that the thin films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure. The Raman spectra further indicates that the Dy doped ZnO films show bi-axial compressive stress. The average grain size calculated from the XRD and AFM images show that the densely distributed particles are in the nano dimension. All the films exhibit very good transmittance in the visible and near infrared region. The 1 % Dy doped ZnO film gives a low dc resistivity of 1.063 × 10−5 Ωm. The dc electrical resistivity and good emission properties enable these films to be used as good conductive thin film phosphors for low voltage field emission display applications.
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Metadaten
Titel
Spectroscopic investigations of RF sputtered Dy:ZnO as a conductive thin film nanophosphor
verfasst von
R. Vinodkumar
M. S. Sajna
V. P. Prakashan
N. V. Unnikrishnan
Publikationsdatum
06.08.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 12/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-5467-4

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