Mit der EUV-Lithographie hin zu leistungsfähigeren Mikrochips

Mit der EUV-Lithographie werden Mikrochips erheblich leistungsfähiger. Für die Entwicklung wurden Forscher von Zeiss, Trumpf und Fraunhofer IOT nun mit dem Deutschen Zukunftspreis gewürdigt.

Our technologically advanced way of life would not be possible without the semiconductor industry. The first semiconductor device, known as a transistor, was discovered at Bell Labs in the late 1940s and was widely used shortly thereafter for radio electronics. Today, transistors are still pervasive in every chip that lies at the heart of portable electronic devices, modes of transportation, and computers. In fact, modern computer chips now contain over 10 billion individual transistors—all on a surface that is smaller than a fingernail!

In der Elektrotechnik unterscheidet man zwischen aktiven und passiven elektronischen Bauelementen. Unter passiven Bauelementen versteht man elektrische Widerstände, Kondensatoren (bzw. Kapazitäten) und Spulen (bzw. Induktivitäten). Ihre elektrischen Eigenschaften sind zeitlich konstant und können bestenfalls durch das Verschieben mechanischer Elemente (z. B. regelbare Widerstände (= Potenziometer) und regelbare Kondensatoren) angepasst werden.

In diesem Kapitel wird eine Übersicht über Laserquellen sowie die Entstehung und die Eigenschaften von Laserlicht gegeben. Hierbei wird zunächst näher auf das Laserprinzip, die Besetzungsinversion und die stimulierte Lichtemission eingegangen. Es folgt die Darstellung des Aufbaus, der Bestandteile sowie der möglichen Betriebsarten und Typen von Lasern. 

Dieses Kapitel bietet eine Übersicht über die wichtigsten optischen Systeme und Geräte. Hierbei wird eingangs auf den Aufbau des Auges eingegangen. Nachfolgend werden die Funktionsweisen von Lupen, Objektiven und Okularen, Endoskopen, Teleskopen und Mikroskopen behandelt. Nach der Vorstellung unterschiedlicher Spektrometertypen erfolgt abschließend eine Übersicht über optische Schalter für Laserquellen.

Optical glass and glass ceramic components with angstrom-level surface roughness and nanometer-level dimensional accuracy are in potential demand for sophisticated optical fabrication. In recent years, aspherical and free-form surfaces are gaining prominence for high performance applications. 

In der Geschichte der Dünnschichttechnologie wurden zahlreiche Meilensteine erreicht, die in den letzten vier Jahrzehnten zu einer Revolution in der Informations- und Unterhaltungsbranche geführt haben. Zudem konnten mittels dünner Schichten viele Fertigungsprozesse optimiert sowie Arbeitsbedingungen verbessert werden.

This chapter is focused on nanoelectronic devices developed in the last years as the result of searching for alternative developments of the Moore’s law. We deal in this chapter with ballistic devices, negative capacitance FETs, hyper FETs, tunneling devices, phase change devices, quantum dots and memories.