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01.02.2020 | CARBON SYSTEMS | Ausgabe 2/2020

Semiconductors 2/2020

Structural and Photoluminescence Properties of Graphite-Like Carbon Nitride

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 2/2020
Autoren:
A. V. Baglov, E. B. Chubenko, A. A. Hnitsko, V. E. Borisenko, A. A. Malashevich, V. V. Uglov
Wichtige Hinweise
Translated by E. Smorgonskaya

Abstract

Interrelationship between the structure and optical properties of graphite-like semiconductor carbon nitride produced by the heat treatment of thiocarbamide in an oxygen-containing medium at temperatures in the range from 400°C to 625°C is established. It is found that the maximum of the photoluminescence band shifts from 417 to 494 nm and simultaneously broadens, as the temperature of synthesis is elevated to 625°C. This effect is attributed to doping with oxygen and to the formation of defects as a consequence of decomposition of the already synthesized material with increasing temperature.

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