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01.12.2013 | Ausgabe 23/2013

Journal of Materials Science 23/2013

Structural aspects of changes induced in PbTe by doping with Mn, In and Ga

Zeitschrift:
Journal of Materials Science > Ausgabe 23/2013
Autoren:
I. Radisavljević, N. Ivanović, N. Novaković, N. Romčević, M. Mitrić, V. Andrić, H.-E. Mahnke
Wichtige Hinweise
Comprehensive investigation of the local structures around constitutive and impurity atoms in Pb0.9Mn0.1Te(In, Ga) systems is performed and a thorough elaboration of the influence of the atomic-scale structures and processes on material properties is presented.

Abstract

The paper presents the extended results of structural investigations of Pb0.9Mn0.1Te, and Pb0.9Mn0.1Te systems doped with In (2 at.%) and Ga (4 at.%) by means of EXAFS (extended X-ray absorption fine structure) technique. EXAFS measurements performed at Te–, Mn–, In– and Ga–K absorption edges at different temperatures are complemented with X-ray diffraction, flame absorption and X-ray fluorescence analysis. That way the complete information about elemental concentration; crystal structure; local environment around constitutive and impurity atoms (including their displacements from the regular lattice positions); local and long-range ordering; and the overall influence of doping on the host crystal structure is derived. The obtained results represent an important step towards understanding the structural aspects of doping of lead telluride-based semiconductors with Mn and group III elements and their connection to electronic and optical phenomena important for their applications.

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