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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 3/2016

25.11.2015

Structural characterization and optoelectrical properties of Ti–Ga co-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering

verfasst von: Z. Lu, L. Long, Z. Zhong, C. Lan

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 3/2016

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Abstract

The Ti–Ga co-doped zinc oxide (TGZO) thin films were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering technique in an argon atmosphere. The effect of working pressure on the crystallinity, microstructure, morphology and optoelectrical properties of thin films was investigated by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, four-point probe and spectrophotometer. It is observed that all the deposited films are polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure and highly textured along the c-axis perpendicular to the substrate surface. As the working pressure increases, the dislocation density, stress and resistivity decrease initially and then increase, while the crystallite size, average visible transmittance and figure of merit exhibit the reverse variation trend. The TGZO thin film deposited at the working pressure of 0.4 Pa possesses the best optoelectronic properties, with the largest crystallite size of 85.66 nm, the lowest dislocation density of 1.363 × 1014 lines m−2, the minimum compressive stress of 0.232 GPa, the lowest resistivity of 6.715 × 10−4 Ω cm, the highest average visible transmittance of 88.24 % and the maximum figure of merit of 1.314 × 103 Ω−1 cm−1. The optical energy-gaps of thin films were estimated by Tauc’s law and observed to be in the range of 3.515–3.548 eV which are hardly affected by the working pressure. Furthermore, the optical parameters such as refractive index, extinction coefficient, dielectric constant and nonlinear optical susceptibility were determined by the method of optical spectrum fitting, and the dispersion behavior of refractive index was studied in terms of the Sellmeier’s dispersion model. The results show that the microstructure and optoelectrical properties of the TGZO thin films are subjected to the working pressure.

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Literatur
1.
2.
Zurück zum Zitat L. Zuo, X. Jiang, M. Xu, L. Yang, Y. Nan, Q. Yan, H. Chen, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95, 2664–2669 (2011)CrossRef L. Zuo, X. Jiang, M. Xu, L. Yang, Y. Nan, Q. Yan, H. Chen, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 95, 2664–2669 (2011)CrossRef
3.
Zurück zum Zitat K. Schulze, B. Maennig, K. Leo, Y. Tomita, C. May, J. Hüpkes, E. Brier, E. Reinold, P. Bäuerle, Appl. Phys. Lett. 91, 073521-1–073521-3 (2007)CrossRef K. Schulze, B. Maennig, K. Leo, Y. Tomita, C. May, J. Hüpkes, E. Brier, E. Reinold, P. Bäuerle, Appl. Phys. Lett. 91, 073521-1–073521-3 (2007)CrossRef
4.
Zurück zum Zitat X.H. Li, Y.M. Hu, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 14–17 (2010) X.H. Li, Y.M. Hu, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 14–17 (2010)
5.
Zurück zum Zitat H. Zhu, J. Hüpkes, E. Bunte, A. Gerber, S.M. Huang, Thin Solid Films 518, 4997–5002 (2010)CrossRef H. Zhu, J. Hüpkes, E. Bunte, A. Gerber, S.M. Huang, Thin Solid Films 518, 4997–5002 (2010)CrossRef
6.
Zurück zum Zitat J.-L. Wu, H.-Y. Lin, B.-Y. Su, Y.-C. Chen, S.-Y. Chu, S.-Y. Liu, C.-C. Chang, C.-J. Wu, J. Alloys Compd. 592, 35–41 (2014)CrossRef J.-L. Wu, H.-Y. Lin, B.-Y. Su, Y.-C. Chen, S.-Y. Chu, S.-Y. Liu, C.-C. Chang, C.-J. Wu, J. Alloys Compd. 592, 35–41 (2014)CrossRef
7.
Zurück zum Zitat J.H. Burroughes, D.D.C. Bradley, A.R. Brown, R.N. Marks, K. Mackay, R.H. Friend, P.L. Burns, A.B. Holmes, Nature 347, 539–541 (1990)CrossRef J.H. Burroughes, D.D.C. Bradley, A.R. Brown, R.N. Marks, K. Mackay, R.H. Friend, P.L. Burns, A.B. Holmes, Nature 347, 539–541 (1990)CrossRef
8.
Zurück zum Zitat S. Chen, S. Wei, X. He, F. Sun, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 43–46 (2009)CrossRef S. Chen, S. Wei, X. He, F. Sun, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 43–46 (2009)CrossRef
9.
Zurück zum Zitat S.S. Tan, Y.Y. Kee, H.Y. Wong, T.Y. Tou, Surf. Coat. Technol. 231, 98–101 (2013)CrossRef S.S. Tan, Y.Y. Kee, H.Y. Wong, T.Y. Tou, Surf. Coat. Technol. 231, 98–101 (2013)CrossRef
10.
Zurück zum Zitat H.H. Huang, S.Y. Chu, P.C. Kao, Y.C. Chen, M.R. Yang, Z.L. Tseng, J. Alloys Compd. 479, 520–524 (2009)CrossRef H.H. Huang, S.Y. Chu, P.C. Kao, Y.C. Chen, M.R. Yang, Z.L. Tseng, J. Alloys Compd. 479, 520–524 (2009)CrossRef
11.
12.
Zurück zum Zitat K. Zheng, L. Gu, D. Sun, X. Mo, G. Chen, Mater. Sci. Eng. B 166, 104–107 (2010)CrossRef K. Zheng, L. Gu, D. Sun, X. Mo, G. Chen, Mater. Sci. Eng. B 166, 104–107 (2010)CrossRef
13.
Zurück zum Zitat S.B. Chen, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 33, 57–62 (2014) S.B. Chen, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 33, 57–62 (2014)
15.
Zurück zum Zitat S.W. Na, M.H. Shin, Y.M. Chung, J.G. Han, S.H. Jeung, J.H. Boo, N.-E. Lee, Microelectron. Eng. 83, 328–335 (2006)CrossRef S.W. Na, M.H. Shin, Y.M. Chung, J.G. Han, S.H. Jeung, J.H. Boo, N.-E. Lee, Microelectron. Eng. 83, 328–335 (2006)CrossRef
16.
Zurück zum Zitat J.C. Hu, Y.P. Zhou, H. Liu, L.N. Meng, M.H. Bao, Z. Song, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 29, 6–10 (2010) J.C. Hu, Y.P. Zhou, H. Liu, L.N. Meng, M.H. Bao, Z. Song, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 29, 6–10 (2010)
17.
Zurück zum Zitat S.J. Henley, M.N.R. Ashfold, D. Cherns, Surf. Coat. Technol. 177–178, 271–276 (2004)CrossRef S.J. Henley, M.N.R. Ashfold, D. Cherns, Surf. Coat. Technol. 177–178, 271–276 (2004)CrossRef
18.
Zurück zum Zitat V. Assuncão, E. Fortunato, A. Marques, H. Águas, I. Ferreira, M.E.V. Costa, R. Martins, Thin Solid Films 427, 401–405 (2003)CrossRef V. Assuncão, E. Fortunato, A. Marques, H. Águas, I. Ferreira, M.E.V. Costa, R. Martins, Thin Solid Films 427, 401–405 (2003)CrossRef
19.
Zurück zum Zitat Z.Z. You, L. Chan, W. Hao, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 33, 51–57 (2014) Z.Z. You, L. Chan, W. Hao, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 33, 51–57 (2014)
20.
Zurück zum Zitat S. Singh, N. Rama, K. Sethupathi, M.S. Ramachandra, Rao. J. Appl. Phys. 103, 07D108 (2008) S. Singh, N. Rama, K. Sethupathi, M.S. Ramachandra, Rao. J. Appl. Phys. 103, 07D108 (2008)
21.
Zurück zum Zitat T. Makino, K. Tamura, C.H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Phys. Status Solidi B 229, 853–857 (2002)CrossRef T. Makino, K. Tamura, C.H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Phys. Status Solidi B 229, 853–857 (2002)CrossRef
22.
Zurück zum Zitat H. Mondragón-Suárez, A. Maldonado, M. de la L. Olvera, A. Reyes, R. Castanedo-Pérez, G. Torres-Delgado, R. Asomoza, Appl. Surf. Sci. 193, 52–59 (2002)CrossRef H. Mondragón-Suárez, A. Maldonado, M. de la L. Olvera, A. Reyes, R. Castanedo-Pérez, G. Torres-Delgado, R. Asomoza, Appl. Surf. Sci. 193, 52–59 (2002)CrossRef
23.
24.
Zurück zum Zitat L.-H. Cheng, L.-Y. Zheng, L. Meng, G.-R. Li, Y. Gu, F.-P. Zhang, R.-Q. Chu, Z.-J. Xu, Ceram. Int. 38S, S457–S461 (2012)CrossRef L.-H. Cheng, L.-Y. Zheng, L. Meng, G.-R. Li, Y. Gu, F.-P. Zhang, R.-Q. Chu, Z.-J. Xu, Ceram. Int. 38S, S457–S461 (2012)CrossRef
25.
Zurück zum Zitat G.G. Valle, P. Hammer, S.H. Pulcinelli, C.V. Santilli, J. Eur. Ceram. Soc. 24, 1009–1013 (2004)CrossRef G.G. Valle, P. Hammer, S.H. Pulcinelli, C.V. Santilli, J. Eur. Ceram. Soc. 24, 1009–1013 (2004)CrossRef
26.
Zurück zum Zitat X. He, L. Xiong, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 30, 70–73 (2011) X. He, L. Xiong, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 30, 70–73 (2011)
27.
Zurück zum Zitat J. Kim, J.H. Yun, S.W. Jee, Y.C. Park, M. Ju, S. Han, Y. Kim, J.H. Kim, W.A. Anderson, J.H. Lee, J. Yi, Mater. Lett. 65, 786–789 (2011)CrossRef J. Kim, J.H. Yun, S.W. Jee, Y.C. Park, M. Ju, S. Han, Y. Kim, J.H. Kim, W.A. Anderson, J.H. Lee, J. Yi, Mater. Lett. 65, 786–789 (2011)CrossRef
28.
Zurück zum Zitat J.P. Kar, S. Kim, B. Shin, K.I. Park, K.J. Ahn, W. Lee, J.H. Cho, J.M. Myoung, Solid State Electron. 54, 1447–1450 (2010)CrossRef J.P. Kar, S. Kim, B. Shin, K.I. Park, K.J. Ahn, W. Lee, J.H. Cho, J.M. Myoung, Solid State Electron. 54, 1447–1450 (2010)CrossRef
29.
Zurück zum Zitat A. Zhou, H. Liu, Y. Yuan, J. Vac. Sci. Technol. 32, 974–977 (2012) A. Zhou, H. Liu, Y. Yuan, J. Vac. Sci. Technol. 32, 974–977 (2012)
30.
Zurück zum Zitat C.S. Bu, W.S. Liang, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 72–78 (2015) C.S. Bu, W.S. Liang, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 72–78 (2015)
31.
Zurück zum Zitat J. Mass, P. Bhattacharya, R.S. Katiyar, Mater. Sci. Eng. B 103, 9–15 (2003)CrossRef J. Mass, P. Bhattacharya, R.S. Katiyar, Mater. Sci. Eng. B 103, 9–15 (2003)CrossRef
32.
Zurück zum Zitat F.L. Sun, S.W. Hui, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 10–13 (2009) F.L. Sun, S.W. Hui, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 10–13 (2009)
33.
Zurück zum Zitat X. Yu, J. Ma, F. Ji, Y. Wang, X. Zhang, C. Cheng, H. Ma, Appl. Surf. Sci. 239, 222–226 (2005)CrossRef X. Yu, J. Ma, F. Ji, Y. Wang, X. Zhang, C. Cheng, H. Ma, Appl. Surf. Sci. 239, 222–226 (2005)CrossRef
34.
Zurück zum Zitat Z.Y. Zhong, T. Zhang, H. Wang, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 32, 58–64 (2013) Z.Y. Zhong, T. Zhang, H. Wang, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 32, 58–64 (2013)
35.
Zurück zum Zitat I. Chambouleyron, S.D. Ventura, E.G. Birgin, J.M. Martínez, J. Appl. Phys. 92, 3093–3102 (2002)CrossRef I. Chambouleyron, S.D. Ventura, E.G. Birgin, J.M. Martínez, J. Appl. Phys. 92, 3093–3102 (2002)CrossRef
36.
Zurück zum Zitat J. Chen, D. Chen, J. He, S. Zhang, Z. Chen, Appl. Surf. Sci. 255, 9413–9419 (2009)CrossRef J. Chen, D. Chen, J. He, S. Zhang, Z. Chen, Appl. Surf. Sci. 255, 9413–9419 (2009)CrossRef
37.
Zurück zum Zitat Z.B. Ayadi, L.E. Mir, K. Djessas, S. Alaya, Mater. Sci. Eng. C 28, 613–617 (2008)CrossRef Z.B. Ayadi, L.E. Mir, K. Djessas, S. Alaya, Mater. Sci. Eng. C 28, 613–617 (2008)CrossRef
38.
Zurück zum Zitat C. Barret, T.B. Massalki, Structure of Metals (Pergamon, Oxford, 1980) C. Barret, T.B. Massalki, Structure of Metals (Pergamon, Oxford, 1980)
39.
Zurück zum Zitat S. Thanikaikarasan, T. Mahalingam, M. Raja, T. Kim, Y.D. Kim, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 20, 727–734 (2009)CrossRef S. Thanikaikarasan, T. Mahalingam, M. Raja, T. Kim, Y.D. Kim, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 20, 727–734 (2009)CrossRef
40.
Zurück zum Zitat Z. Huang, J. Long, L. Wu, X. Liu, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 10–14 (2015) Z. Huang, J. Long, L. Wu, X. Liu, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 10–14 (2015)
41.
Zurück zum Zitat S. Musić, A. Šarić, S. Popović, J. Alloys Compd. 448, 277–283 (2008)CrossRef S. Musić, A. Šarić, S. Popović, J. Alloys Compd. 448, 277–283 (2008)CrossRef
42.
Zurück zum Zitat J.I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover Publications, New York, 1975) J.I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover Publications, New York, 1975)
43.
Zurück zum Zitat S. Li, D. Yang, W. Wang, F. Lei, W. Min, Mater. Rev. B 28, 6–9 (2014) S. Li, D. Yang, W. Wang, F. Lei, W. Min, Mater. Rev. B 28, 6–9 (2014)
44.
Zurück zum Zitat L.P. Peng, L. Fang, X.F. Yang, Y.J. Li, Q.L. Huang, F. Wu, C.Y. Kong, J. Alloys Compd. 484, 575–579 (2009)CrossRef L.P. Peng, L. Fang, X.F. Yang, Y.J. Li, Q.L. Huang, F. Wu, C.Y. Kong, J. Alloys Compd. 484, 575–579 (2009)CrossRef
45.
Zurück zum Zitat S. Gopal, C. Viswanathan, B. Karunagaran, S.K. Narayandass, D. Mangalaraj, J. Yi, Cryst. Res. Technol. 40, 557–562 (2005)CrossRef S. Gopal, C. Viswanathan, B. Karunagaran, S.K. Narayandass, D. Mangalaraj, J. Yi, Cryst. Res. Technol. 40, 557–562 (2005)CrossRef
46.
Zurück zum Zitat S.B. Chen, F. Sun, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 83–88 (2015) S.B. Chen, F. Sun, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 83–88 (2015)
47.
Zurück zum Zitat B.-Y. Oh, J.-H. Kim, J.-W. Han, D.-S. Seo, H.S. Jang, H.-J. Choi, S.-H. Baek, J.H. Kim, G.-S. Heo, T.-W. Kim, K.-Y. Kim, Curr. Appl. Phys. 12, 273–279 (2012)CrossRef B.-Y. Oh, J.-H. Kim, J.-W. Han, D.-S. Seo, H.S. Jang, H.-J. Choi, S.-H. Baek, J.H. Kim, G.-S. Heo, T.-W. Kim, K.-Y. Kim, Curr. Appl. Phys. 12, 273–279 (2012)CrossRef
48.
Zurück zum Zitat Y.-Y. Liu, Y.-L. Zang, G.-X. Wei, J. Li, X.-L. Fan, C.-F. Cheng, Mater. Lett. 63, 2597–2599 (2009)CrossRef Y.-Y. Liu, Y.-L. Zang, G.-X. Wei, J. Li, X.-L. Fan, C.-F. Cheng, Mater. Lett. 63, 2597–2599 (2009)CrossRef
49.
Zurück zum Zitat R. Hong, J. Shao, H. He, Z. Fan, Appl. Surf. Sci. 252, 2888–2893 (2006)CrossRef R. Hong, J. Shao, H. He, Z. Fan, Appl. Surf. Sci. 252, 2888–2893 (2006)CrossRef
50.
Zurück zum Zitat M.F. Malek, M.H. Mamat, M.Z. Musa, Z. Khusaimi, M.Z. Sahdan, A.B. Suriani, A. Ishak, I. Saurdi, S.A. Rahman, M. Rusop, J. Alloys Compd. 610, 575–588 (2014)CrossRef M.F. Malek, M.H. Mamat, M.Z. Musa, Z. Khusaimi, M.Z. Sahdan, A.B. Suriani, A. Ishak, I. Saurdi, S.A. Rahman, M. Rusop, J. Alloys Compd. 610, 575–588 (2014)CrossRef
51.
Zurück zum Zitat Z.Y. Zhong, L. Chun, L. Lu, L. Zhou, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 66–72 (2015) Z.Y. Zhong, L. Chun, L. Lu, L. Zhou, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 66–72 (2015)
52.
Zurück zum Zitat B.L. Zhu, X.H. Sun, X.Z. Zhao, F.H. Su, G.H. Li, X.G. Wu, J. Wu, R. Wu, J. Liu, Vacuum 82, 495–500 (2008)CrossRef B.L. Zhu, X.H. Sun, X.Z. Zhao, F.H. Su, G.H. Li, X.G. Wu, J. Wu, R. Wu, J. Liu, Vacuum 82, 495–500 (2008)CrossRef
53.
Zurück zum Zitat M.T. Tsai, Y.Y. Chang, H.L. Huang, J.T. Hsu, Y.C. Chen, A.Y.J. Wu, Thin Solid Films 528, 143–150 (2013)CrossRef M.T. Tsai, Y.Y. Chang, H.L. Huang, J.T. Hsu, Y.C. Chen, A.Y.J. Wu, Thin Solid Films 528, 143–150 (2013)CrossRef
54.
Zurück zum Zitat W. Yang, Z. Liu, D.-L. Peng, F. Zhang, Y. Huang, H. Xie, Z. Wu, Appl. Surf. Sci. 255, 5669–5673 (2009)CrossRef W. Yang, Z. Liu, D.-L. Peng, F. Zhang, Y. Huang, H. Xie, Z. Wu, Appl. Surf. Sci. 255, 5669–5673 (2009)CrossRef
55.
Zurück zum Zitat D. Briggs, M.P. Seah, Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy (Wiley, New York, 1983) D. Briggs, M.P. Seah, Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy (Wiley, New York, 1983)
56.
Zurück zum Zitat J. Gu, Z. Zhong, X. He, F. Sun, S. Chen, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 30, 80–84 (2011) J. Gu, Z. Zhong, X. He, F. Sun, S. Chen, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 30, 80–84 (2011)
57.
Zurück zum Zitat W.T. Yen, Y.C. Lin, P.C. Yao, J.H. Ke, Y.L. Chen, Thin Solid Films 518, 3882–3885 (2010)CrossRef W.T. Yen, Y.C. Lin, P.C. Yao, J.H. Ke, Y.L. Chen, Thin Solid Films 518, 3882–3885 (2010)CrossRef
58.
Zurück zum Zitat M. Lv, X. Xiu, Z. Pang, Y. Dai, S. Han, Appl. Surf. Sci. 252, 2006–2011 (2005)CrossRef M. Lv, X. Xiu, Z. Pang, Y. Dai, S. Han, Appl. Surf. Sci. 252, 2006–2011 (2005)CrossRef
60.
Zurück zum Zitat P.P. Sahay, S. Tewari, R.K. Nath, Cryst. Res. Technol. 42, 723–729 (2007)CrossRef P.P. Sahay, S. Tewari, R.K. Nath, Cryst. Res. Technol. 42, 723–729 (2007)CrossRef
61.
Zurück zum Zitat J.H. Gu, Z. Zhong, X. He, F. Sun, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 30–33 (2009) J.H. Gu, Z. Zhong, X. He, F. Sun, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 28, 30–33 (2009)
62.
Zurück zum Zitat R.K. Gupta, K. Ghosh, R. Patel, S.R. Mishra, P.K. Kahol, J. Cryst. Growth 310, 3019–3023 (2008)CrossRef R.K. Gupta, K. Ghosh, R. Patel, S.R. Mishra, P.K. Kahol, J. Cryst. Growth 310, 3019–3023 (2008)CrossRef
63.
Zurück zum Zitat Z. Zhong, J. Zhou, L. Yang, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 30, 34–37 (2011) Z. Zhong, J. Zhou, L. Yang, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 30, 34–37 (2011)
65.
Zurück zum Zitat J. Gu, L. Long, Z. Lu, T. Zhang, Z.Y. Zhong, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 24–27 (2015) J. Gu, L. Long, Z. Lu, T. Zhang, Z.Y. Zhong, J. South Cent. Univ. Natl. (Nat. Sci. Ed.) 34, 24–27 (2015)
66.
Zurück zum Zitat N.H. Al-Hardan, M.J. Abdullah, A.A. Aziz, H. Ahmad, M. Rashid, Phys. B 405, 1081–1086 (2010)CrossRef N.H. Al-Hardan, M.J. Abdullah, A.A. Aziz, H. Ahmad, M. Rashid, Phys. B 405, 1081–1086 (2010)CrossRef
67.
Zurück zum Zitat D.R. Sahu, J.-L. Huang, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93, 1923–1927 (2009)CrossRef D.R. Sahu, J.-L. Huang, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 93, 1923–1927 (2009)CrossRef
69.
Zurück zum Zitat T. Wagner, M. Krbal, T. Kohoutek, V. Peina, M. Vlek, M. Vlek, M. Frumar, J. Non-Cryst. Solids 326–327, 233–237 (2003)CrossRef T. Wagner, M. Krbal, T. Kohoutek, V. Peina, M. Vlek, M. Vlek, M. Frumar, J. Non-Cryst. Solids 326–327, 233–237 (2003)CrossRef
Metadaten
Titel
Structural characterization and optoelectrical properties of Ti–Ga co-doped ZnO thin films prepared by magnetron sputtering
verfasst von
Z. Lu
L. Long
Z. Zhong
C. Lan
Publikationsdatum
25.11.2015
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 3/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-015-4104-y

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