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08.07.2016 | Ausgabe 11/2016

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2016

Structural, optical and electrical properties of Ru doped MoO3 thin films and its P–N diode application by JNS pyrolysis technique

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 11/2016
Autoren:
M. Balaji, J. Chandrasekaran, M. Raja, S. Rajesh

Abstract

We report that the jet nebulizer spray coating is a promising route to acquire ruthenium doped molybdenum trioxide (RuMoO3) thin films for the P–N diode application at 500 °C. The influence of Ru doping (0, 3, 6 and 9 wt%) on structural, optical, dc electrical conductivity and diode properties of MoO3 was measured by various techniques. From the X-ray diffraction analysis, the films were polycrystalline with an orthorhombic structure of MoO3. The scanning electron microscope images displayed the dissimilarities of the sub-microsized plate-like structure. The elements of Ru, Mo and O presence were confirmed by the energy dispersive X-ray spectroscopy analysis. From the ultraviolet–visible analysis and current–voltage (I–V) characterization, 6 % Ru doped MoO3 film exhibited minimum absorbance in the visible region and maximum conductivity. The diode measurements were taken in darkness and under halogen light source. To calculate the diode parameter values of ideality factor (n), barrier height (Φb) and sheet resistance (Rs), we have used different methods of I–V, Cheung’s and Norde.

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