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08.05.2019 | Ausgabe 12/2019

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2019

Study of γ-ray radiation influence on SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 memory capacitor by C–V and DLTS

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 12/2019
Autoren:
Shu-rui Cao, Xiao-yu Ke, Si-ting Ming, Duo-wei Wang, Tong Li, Bing-yan Liu, Yao Ma, Yun Li, Zhi-mei Yang, Min Gong, Ming-min Huang, Jin-shun Bi, Yan-nan Xu, Kai Xi, Gao-bo Xu, Sandip Majumdar
Wichtige Hinweise

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

Gamma-ray radiation effects on the SiO2/HfO2/Al2O3/HfO2/Al2O3 based charge trapping memory have been investigated. Capacitance–voltage (C–V) and deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were applied to study the change in electrical properties from total dose radiation. C–V results showed a negative shift of flat-band voltage while dc memory window degraded after gamma-ray radiation. For DLTS result, two original peaks were found degraded while two new peaks appeared after radiation. Both C–V and DLTS results show that Gamma ray leads to the degradation of trapping effect.

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