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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 2/2020

20.11.2019

Study of E-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMT with La-silicate Gate Insulator for Power Applications

verfasst von: Kuan Ning Huang, Yueh-Chin Lin, Jia-Ching Lin, Chia Chieh Hsu, Jin Hwa Lee, Chia-Hsun Wu, Jing Neng Yao, Heng-Tung Hsu, Venkatesan Nagarajan, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Chao Hsin Chien, Edward Yi Chang

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 2/2020

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Metadaten
Titel
Study of E-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMT with La-silicate Gate Insulator for Power Applications
verfasst von
Kuan Ning Huang
Yueh-Chin Lin
Jia-Ching Lin
Chia Chieh Hsu
Jin Hwa Lee
Chia-Hsun Wu
Jing Neng Yao
Heng-Tung Hsu
Venkatesan Nagarajan
Kuniyuki Kakushima
Kazuo Tsutsui
Hiroshi Iwai
Chao Hsin Chien
Edward Yi Chang
Publikationsdatum
20.11.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 2/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07790-7

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