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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2017

01.02.2017 | Surfaces, Interfaces, and Thin Films

Study of silicon doped with zinc ions and annealed in oxygen

verfasst von: V. V. Privezentsev, E. P. Kirilenko, A. N. Goryachev, A. A. Batrakov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2017

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Metadaten
Titel
Study of silicon doped with zinc ions and annealed in oxygen
verfasst von
V. V. Privezentsev
E. P. Kirilenko
A. N. Goryachev
A. A. Batrakov
Publikationsdatum
01.02.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617020154

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