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01.02.2017 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures | Ausgabe 2/2017

Semiconductors 2/2017

Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 2/2017
Autoren:
N. V. Kryzhanovskaya, Yu. S. Polubavkina, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, A. A. Lazarenko, A. Yu. Egorov, M. V. Maximov, E. I. Moiseev, A. E. Zhukov

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