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01.12.2016 | Methods and Technique of Measurements | Ausgabe 13/2016

Semiconductors 13/2016

Study of the structure and composition of the strained epitaxial layer in the InAlAs/GaAs(100) heterostructure by transmission electron microscopy

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 13/2016
Autoren:
M. V. Lovygin, N. I. Borgardt, A. S. Bugaev, R. L. Volkov, M. Seibt

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