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01.07.2013 | Ausgabe 7/2013

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2013

Study on important diffusion parameters of binary Ni3Sn4 phase

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 7/2013
Autor:
C. Ghosh

Abstract

Important diffusion parameters, such as—parabolic growth constant, integrated diffusivity, ratio of intrinsic diffusivities of species Ni and Sn, Kirkendall marker velocity and the activation energy for diffusion kinetics of binary Ni3Sn4 phase have been investigated with the help of incremental diffusion couple technique (Sn/Ni0.57Sn0.43) in the temperature range 200–150 °C. Low activation energy extracted from Arrhenius plot indicates grain boundary controlled diffusion process. The species Sn is three times faster than Ni at 200 °C. Further, the activation energy of Sn tracer diffusivity is greater than that of Ni.

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