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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 1/2017

19.09.2016

Subthreshold Current and Swing Modeling of Gate Underlap DG MOSFETs with a Source/Drain Lateral Gaussian Doping Profile

verfasst von: Kunal Singh, Sanjay Kumar, Ekta Goel, Balraj Singh, Mirgender Kumar, Sarvesh Dubey, Satyabrata Jit

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 1/2017

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Metadaten
Titel
Subthreshold Current and Swing Modeling of Gate Underlap DG MOSFETs with a Source/Drain Lateral Gaussian Doping Profile
verfasst von
Kunal Singh
Sanjay Kumar
Ekta Goel
Balraj Singh
Mirgender Kumar
Sarvesh Dubey
Satyabrata Jit
Publikationsdatum
19.09.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 1/2017
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4914-6

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