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Erschienen in:
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2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Surface Roughness Scattering in Ultrathin-Body SOI MOSFETs

verfasst von : Seonghoon Jin, Massimo V. Fischetti, Ting-wei Tang

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

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A rigorous surface roughness scattering model for ultrathin-body SOI MOSFETs is presented, which extends Ando’s model for bulk MOSFETs. The matrix element of the scattering potential includes a generalized Prange-Nee term and all the Coulomb interaction terms. Using this model, we study the effects of the silicon body thickness, effective field, and dielectric constant of the insulator on the roughness-limited low-field electron mobility in ultrathin-body SOI MOSFETs.

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Metadaten
Titel
Surface Roughness Scattering in Ultrathin-Body SOI MOSFETs
verfasst von
Seonghoon Jin
Massimo V. Fischetti
Ting-wei Tang
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_15

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