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2020 | OriginalPaper | Buchkapitel

5. Switching Control of Oxide-Based Resistive Random-Access Memory by Valence State Control of Oxide

verfasst von : Takahiro Nagata

Erschienen in: Nanoscale Redox Reaction at Metal/Oxide Interface

Verlag: Springer Japan

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Abstract

Controlling the switching voltage and initial conductive filament formation of resistive random-access memory (ReRAM) is beneficial for actual applications. As summarized in Chap. 4, the density of oxygen vacancies is important in terms of controlling the conductive filament formation and switching of a nanoionic-type ReRAM structure. In this chapter, as an example of the control of oxygen vacancies and switching properties of the ReRAM structure, the intentional change in the valence state of an oxide layer is described. We investigated the Ta-Nb binary oxide ((TaxNb1-x)2O5) system as a dielectric oxide layer by a combinatorial method. A combinatorial pulsed laser deposition method was used to fabricate the (TaxNb1-x)2O5 system systematically. X-ray photoelectron spectroscopy revealed defect formation relating to Ta and the compensation of oxygen vacancies caused by a change in the valence of Nb. As the Ta content decreased, a decrease in the threshold voltage of the low-resistance state and an enhancement of the leakage current were observed, meaning that the switching properties can be controlled by controlling the (TaxNb1-x)2O5 system.

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Literatur
3.
Zurück zum Zitat Nagata T, Haemori M, Yamashita Y, Yoshikawa H, Iwashita Y, Kobayashi K, Chikyow T (2011) Bias application hard X-ray photoelectron spectroscopy study of forming process of Cu/HfO2/Pt resistive random access memory structure. Appl Phys Lett 99:223517. https://doi.org/10.1063/1.3664781CrossRef Nagata T, Haemori M, Yamashita Y, Yoshikawa H, Iwashita Y, Kobayashi K, Chikyow T (2011) Bias application hard X-ray photoelectron spectroscopy study of forming process of Cu/HfO2/Pt resistive random access memory structure. Appl Phys Lett 99:223517. https://​doi.​org/​10.​1063/​1.​3664781CrossRef
8.
Zurück zum Zitat Simon D, Perrin C, Baillif P (1976) Electron spectrometric study (ESCA) of niobium and its oxides. Application to its oxidation at high temperature and low oxygen pressure. C R Acad Sci Ser C 283:241–244 Simon D, Perrin C, Baillif P (1976) Electron spectrometric study (ESCA) of niobium and its oxides. Application to its oxidation at high temperature and low oxygen pressure. C R Acad Sci Ser C 283:241–244
Metadaten
Titel
Switching Control of Oxide-Based Resistive Random-Access Memory by Valence State Control of Oxide
verfasst von
Takahiro Nagata
Copyright-Jahr
2020
Verlag
Springer Japan
DOI
https://doi.org/10.1007/978-4-431-54850-8_5

    Marktübersichten

    Die im Laufe eines Jahres in der „adhäsion“ veröffentlichten Marktübersichten helfen Anwendern verschiedenster Branchen, sich einen gezielten Überblick über Lieferantenangebote zu verschaffen.