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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 7/2020

13.04.2020

Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD)

verfasst von: Baskaran Subramanian, Mohanbabu Anandan, Saminathan Veerappan, Murugapandiyan Panneerselvam, Mohammed Wasim, Saravana Kumar Radhakrishnan, Praveen Pechimuthu, Yogesh Kumar Verma, Subash Navaneethan Vivekanandhan, Elamurugan Raju

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 7/2020

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Metadaten
Titel
Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD)
verfasst von
Baskaran Subramanian
Mohanbabu Anandan
Saminathan Veerappan
Murugapandiyan Panneerselvam
Mohammed Wasim
Saravana Kumar Radhakrishnan
Praveen Pechimuthu
Yogesh Kumar Verma
Subash Navaneethan Vivekanandhan
Elamurugan Raju
Publikationsdatum
13.04.2020
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 7/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08113-x

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