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13.04.2020 | Ausgabe 7/2020

Journal of Electronic Materials 7/2020

Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD)

Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials > Ausgabe 7/2020
Autoren:
Baskaran Subramanian, Mohanbabu Anandan, Saminathan Veerappan, Murugapandiyan Panneerselvam, Mohammed Wasim, Saravana Kumar Radhakrishnan, Praveen Pechimuthu, Yogesh Kumar Verma, Subash Navaneethan Vivekanandhan, Elamurugan Raju

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