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29.09.2016 | Ausgabe 2/2017

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2/2017

Synthesis and characterization of vertically aligned cadmium oxide nanowire array

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 2/2017
Autor:
Shweta Chaure

Abstract

High density and ordered cadmium oxide (CdO) nanowire array has been synthesized using anodic aluminium oxide template by electrodeposition method. The optical, morphological and structural properties of nanowire array and planar thin layer have been studied with the help of UV–Vis spectrophotometer, photoluminescence spectrometer, scanning electron microscopy and X-ray diffraction. The results obtained from nanowire array are compared with the planar thin layer of CdO. Preferentially oriented along (200) plane with face centered cubic crystalline nanowires are synthesized. The uniform and vertically standing nanowire array of diameter ~50 nm and length ~2.5 μm was prepared. UV–Vis spectroscopy analysis confirms the direct gap of the CdO nanowires were found to be ~3.20 eV which is higher than the bulk CdO for direct band gaps (2.48 eV) due to quantum confinement effect. The CdO nanowire array has high transmittance over 80 % in visible region as compared to 55 % in case of CdO film. The direct band transition and exiton emission to nanowire array was observed at 440 and 510 nm, respectively.

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