Technologische Grundprozesse

Die Siliziumplanartechnologie wird in diesem Kapitel unter dem Gesichtspunkt der Erzeugung von Halbleiterstrukturen für integrierte Schaltungen erörtert. Unter Planartechnologie versteht man eine Reihe aufeinanderfolgender Einzelprozessschritte, die an einkristallinen Halbleiterscheiben durchgeführt werden. Die wichtigsten Prozesse sind Lithographie, Oxidation, Diffusion, Ionenimplantation, Ätztechnik, Epitaxie und Metallisierung. Damit wurden weitere Verfahren zur Erzeugung von pn-Übergängen (Legierung und Ziehen aus der Schmelze) in Spezialanwendungsbereiche verdrängt. In der Planartechnologie werden die einzigartigen Eigenschaften der oxidierten Siliziumoberfläche (amorphes Siliziumdioxid SiO₂) ausgenutzt: Chemische Stabilität und damit Passivierung der Siliziumoberfläche, auch bei hohen Temperaturen (T≤1300°C)Diffusionshemmende Wirkung gegenüber FremdatomenFeinstrukturierbarkeit von SiO₂-Schichten auf SiliziumHohe elektrische Durchbruchfeldstärke (wichtig z. B. für den MOSFET).