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2015 | OriginalPaper | Buchkapitel

Temperature Dependence of Functional Properties of Graphene Hall-Effect Sensors Grown on Si Face and C Face of 4H-SiC Substrate

verfasst von : Maciej Kachniarz, Oleg Petruk, Maciej Oszwałdowski, Jacek Salach, Tymoteusz Ciuk, Włodzimierz Strupiński, Roman Szewczyk, Wojciech Winiarski, Krzysztof Trzcinka

Erschienen in: Progress in Automation, Robotics and Measuring Techniques

Verlag: Springer International Publishing

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Paper presents the results of investigation of the temperature influence on the basic functional properties of graphene Hall-effect sensors. The measurement system utilizing Helmholtz coils as a source of external magnetic field and environmental chamber for setting temperature was developed. Two types of monolayer graphene structures grown on both Si and C face of SiC substrate were investigated in the room temperature (about 20 ºC) and their functional properties were compared. Next, the temperature influence on functional properties of both types of graphene structures was investigated using environmental chamber. The results of measurements are presented as charts and analyzed in the paper. On the basis of the results, conclusions were formulated, which are included in the last section of the paper.

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Metadaten
Titel
Temperature Dependence of Functional Properties of Graphene Hall-Effect Sensors Grown on Si Face and C Face of 4H-SiC Substrate
verfasst von
Maciej Kachniarz
Oleg Petruk
Maciej Oszwałdowski
Jacek Salach
Tymoteusz Ciuk
Włodzimierz Strupiński
Roman Szewczyk
Wojciech Winiarski
Krzysztof Trzcinka
Copyright-Jahr
2015
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-15835-8_13