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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 11/2016

02.08.2016

Temperature-Dependent Electrical Properties and Carrier Transport Mechanisms of TMAH-Treated Ni/Au/Al2O3/GaN MIS Diode

verfasst von: M. Siva Pratap Reddy, Peddathimula Puneetha, V. Rajagopal Reddy, Jung-Hee Lee, Seong-Hoon Jeong, Chinho Park

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 11/2016

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Metadaten
Titel
Temperature-Dependent Electrical Properties and Carrier Transport Mechanisms of TMAH-Treated Ni/Au/Al2O3/GaN MIS Diode
verfasst von
M. Siva Pratap Reddy
Peddathimula Puneetha
V. Rajagopal Reddy
Jung-Hee Lee
Seong-Hoon Jeong
Chinho Park
Publikationsdatum
02.08.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 11/2016
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-016-4809-6

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