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Erschienen in:
Perspectives on Electronic and Photonic Materials Kapitel lesen Erstes Kapitel lesen

2017 | OriginalPaper | Buchkapitel

23. Temperature-Insensitive Band-Gap III-V Semiconductors: Tl-III-V and III-V-Bi

verfasst von : Hajime Asahi

Erschienen in: Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

Thallium-containing III-V (Tl-III-V) and bismuth-containing III-V (III-V-Bi) alloy semiconductors were first proposed as novel functional semiconductors. They are alloys consisting of semiconductors (III-V) and semimetals (Tl-V, III-Bi), and are important materials for the fabrication of temperature-insensitive lasing wavelength laser diodes as well as long wavelength infrared (LWIR) optical devices. However, the growth conditions for alloys containing Tl and Bi are very strict and the growth windows are narrow. In this chapter, the expected properties of these semiconductors and the experimental results for the growth, characterization, and device applications are described.

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Literatur
23.1
K. Oe, H. Asai: IEICE Trans. Electron. E79-C, 1751 (1996)
23.2
D. Long: Energy Band in Semiconductors (Wiley, New York 1968)
23.3
W.S. Pelouch, L.A. Schline: Appl. Phys. Lett. 68, 1389 (1996)
23.4
C.J. Summers, J.G. Broerman: Phys. Rev. B21, 559 (1980)
23.5
R. Dornhaus, G. Nimtz: Springer Tracts in Modern Physics, Vol. 78 (Spring, Berlin 1976)
23.6
H. Asahi, K. Yamamoto, K. Iwata, S. Gonda, K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 35, L876 (1996)
23.7
H. Asahi: Compound Semicond. 2, 34 (1996)
23.8
M. van Schilfgaarde, A. Sher, A.B. Chen: Appl. Phys. Lett. 62, 1857 (1994)
23.9
A. Sher, M. van Schilfgaarde, S. Krishnamurthy, M.A. Berding, A.B. Chen: J. Electron. Matter. 24, 1119 (1995)
23.10
A.B. Chen, M. van Schilfgaarde, A. Sher: J. Electron. Matter. 22, 843 (1993)
23.11
M. van Schilfgaarde, A.B. Chen, S. Krishnamurthy, A. Sher: Appl. Phys. Lett. 65, 2714 (1994)
23.12
H. Asahi, K. Yamamoto, M. Fushida, H. Koh, K. Asami, S. Gonda, K. Oe:Proc. 9th Int. Conf. InP Relat. Mater. (1997) pp. 448–451
23.13
H.J. Lee, A. Mizobata, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami, H. Asahi: Jpn. J. Appl. Phys. 41, 1016 (2002)
23.14
M.A. Berding, M. van Schilfgaarde, A. Sher, M.J. Antonell, C.R. Abernathy: J. Electron. Matter. 26, 683 (1997)
23.15
W. Mönch: Appl. Phys. Lett. 71, 1231 (1997)
23.16
M. Kondow, M.C. Larson, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Uomi:Proc. Conf. Indium Phosphide Relat. Mater. (1998) p. 233
23.17
C.K. Kim, T. Miyamoto, Y.H. Lee: Jpn. J. Appl. Phys. 37, 5994 (1998)
23.18
Y.H. Choi, C. Besikci, R. Sudharsanan, M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. 63, 361 (1993)
23.19
K.T. Huang, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow: J. Cryst. Growth 156, 320 (1995)
23.20
N.H. Karam, R. Sudharsanan, T. Parodos, M.A. Dodd: J. Electron. Matter. 25, 1209 (1996)
23.21
K. Yamamoto, H. Asahi, M. Fushida, K. Iwata, S. Gonda: J. Appl. Phys. 81, 1704 (1997)
23.22
H. Asahi, M. Fushida, K. Yamamoto, K. Iwata, H. Koh, K. Asami, S. Gonda, K. Oe: J. Cryst. Growth 175/176, 1195 (1997)
23.23
M. Fushida, H. Asahi, K. Yamamoto, H. Koh, K. Asami, S. Gonda, K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 36, L665 (1997)
23.24
H. Koh, H. Asahi, M. Fushida, K. Yamamoto, K. Asami, S. Gonda, K. Oe: J. Cryst. Growth 188, 107 (1998)
23.25
K. Takenaka, H. Asahi, H. Koh, K. Asami, S. Gonda, K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1078 (1999)
23.26
M.J. Antonell, C.R. Abernathy, A. Sher, M. Berding, M. van Schilfgaarde, A. Sanjuro, K. Wong: J. Cryst. Growth 188, 13 (1998)
23.27
M.D. Lange, D.F. Storm, T. Cole: J. Electron. Matter. 27, 36 (1998)
23.28
D.L. Lubyshev, W.Z. Cai, G.L. Catchen, T.S. Mayer, D.L. Miller:Proc. IEEE 24th Intern. Symp. Compound Semicond. (1997) p. 125
23.29
M. Razeghi, J.D. Kim, S.J. Park, Y.H. Choi, D. Wu, E. Michel, J. Xu, E. Bigan: Inst. Phys. Conf. Ser. 145, 1085 (1996)
23.30
J.D. Kim, E. Michel, S. Park, J. Xu, S. Javadpour, M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. 69, 343 (1996)
23.31
P.T. Staveteig, Y.H. Choi, G. Labeyrie, E. Bigan, M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. 64, 60 (1994)
23.32
M.J. Antonell, C.R. Abernathy, A. Sher, M. Berding, M. van Schilfgaarde:Proc. of 9th Intern. Conf. InP Relat. Mater. (1997) pp. 444–447
23.33
H. Asahi, H. Koh, K. Takenaka, K. Asami, K. Oe, S. Gonda: J. Cryst. Growth 201/202, 1069 (1999)
23.34
H. Asahi, K. Takenaka, H. Koh, K. Oe, K. Asami, S. Gonda: Inst. Phys. Conf. Ser. 162, 541 (1999)
23.35
H. Asahi, S. Hasegawa: IPAP Book 2 (The Institute of Pure and Applied Physics, Tokyo 2005) p. 91
23.36
T. Matsumoto, D. Krishnamurthy, A. Fujiwara, S. Hasegawa, H. Asahi: J. Cryst. Growth 295, 133 (2006)
23.37
K.M. Kim, S. Emura, D. Krishnamurthy, S. Hasegawa, H. Asahi: J. Appl. Phys. 108, 053501 (2010)
23.38
A. Ayabe, H. Asahi, H.J. Lee, O. Maeda, K. Konishi, K. Asami, S. Gonda: Appl. Phys. Lett. 77, 2148 (2000)
23.39
A. Imada, H.-J. Lee, A. Fujiwara, S. Emura, S. Hasegawa, H. Asahi: J. Appl. Phys. 94, 6976 (2003)
23.40
A. Imada, H.J. Lee, A. Fujiwara, T. Mukai, H. Asahi: Appl. Phys. Lett. 84, 4212 (2004)
23.41
E. Zielinski, H. Schweizer, K. Streubel, H. Eisele, G. Weimann: J. Appl. Phys. 59, 2196 (1986)
23.42
A. Fujiwara, H.J. Lee, A. Imada, S. Hasegawa, H. Asahi: Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1359 (2003)
23.43
A. Fujiwara, D. Krishnamurthy, T. Matsumoto, S. Hasegawa, H. Asahi: J. Cryst. Growth 301, 109 (2007)
23.44
M. Yoshimoto, K. Oe: Molecular beam epitaxy of GaAsBi and related alloys. In: Molecular Beam Epitaxy, ed. by M. Henini (Elsevier, Oxford 2013) p. 159
23.45
B. Joukoff, A.M. Jean-Louis: J. Cryst. Growth 12, 169 (1972)
23.46
J.L. Zilko, J.E. Greene: J. Appl. Phys. 51, 1549 (1980)
23.47
K. Oe, S. Ando, K. Sugiyama: Jpn. J. Appl. Phys. 20, L303 (1981)
23.48
A.J. Noreika, W.J. Takei, M.H. Francombe: J. Appl. Phys. 53, 4932 (1982)
23.49
Y.K. Ma, Z.M. Fang, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow: Appl. Phys Lett. 55, 2420 (1989)
23.50
H. Ofuchi, T. Kubo, M. Tabuchi, Y. Takeda, H. Okamoto, K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 38, 545 (1999)
23.51
M. Yoshimoto, T. Fuyuki: Localized states in GaAsBi and GaAs/GaAsB heterostructures. In: Bismuth-Containing Compounds, ed. by H. Li, Z.M. Wang (Springer, New York 2013) pp. 201–224
23.52
M. Yoshimoto, S. Murata, A. Chayahara, Y. Horino, J. Saraie, K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1235 (2003)
23.53
K. Oe, H. Okamoto: Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1283 (1998)
23.54
S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje, S. Francoeur, A. Mascarenhas, P. Wei, F. Schiettekatte: Appl. Phys. Lett. 82, 2245 (2003)
23.55
P. Laukkannen, M.P.J. Punkkinen, H.-P. Komsa, M. Ahola-Tuomi, K. Kokko, M. Kuzumin, J. Adell, J. Sadowski, R.E. Peraelae, M. Ropo, T.T. Rantala, I.J. Vaeyrynen, M. Pessa, L. Vitos, J. Kollar, S. Mirbt, B. Johansson: Phys. Rev. Lett. 100, 086101 (2008)
23.56
M.P.J. Punkkinen, P. Laukkannen, H.-P. Komsa, M. Ahola-Tuomi, M. Raesaenen, K. Kokko, M. Kuzmin, J. Adell, J. Sadowski, R.E. Peraelae, M. Ropo, T.T. Rantala, I.J. Vaeyrynen, M. Pessa, L. Vitos, J. Kollar, S. Mirbt, B. Johansson: Phys. Rev. B 78, 195304 (2008)
23.57
Y. Tominaga, Y. Kinoshita, K. Oe, M. Yosimoto: Appl. Phys. Lett. 93, 131915 (2008)
23.58
W. Huang, K. Oe, G. Feng, M. Yoshimoto: J. Appl. Phys. 98, 053505 (2005)
23.59
W. Huang, M. Yoshimoto, Y. Takehara, J. Saraie, K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1350 (2004)
23.60
G. Feng, M. Yoshimoto, K. Oe, A. Chayahara, Y. Horino: Jpn. J. Appl. Phys. 44, L1161 (2005)
23.61
G. Pettinari, A. Polimeni, M. Capizzi, J.H. Blokland, P.C.M. Christianen, J.C. Maan, E.C. Young, T. Tiedje: Appl. Phys. Lett. 92, 262105 (2008)
23.62
Y. Tominaga, K. Oe, M. Yosimoto: Appl. Phys. Express 3, 062201 (2010)
23.63
J. Yoshida, T. Kita, O. Wada, K. Oe: Jpn. J. Appl. Phys. 42, 371 (2003)
23.64
T. Fuyuki, K. Yoshida, R. Yoshida, M. Yoshimoto: Appl. Phys. Express 7, 082101 (2014)
23.65
T. Fuyuki, R. Yoshida, K. Yoshida, M. Yoshimoto: Appl. Phys. Lett. 103, 202105 (2013)
23.66
P. Ludewig, N. Knaub, N. Hossain, S. Reinhard, L. Nattermann, I.P. Marko, S.R. Jin, H. Hild, S. Chatterjee, W. Stols, S.J. Sweeney, K. Volt: Appl. Phys. Lett. 102, 242115 (2013)
Metadaten
Titel
Temperature-Insensitive Band-Gap III-V Semiconductors: Tl-III-V and III-V-Bi
verfasst von
Hajime Asahi
Copyright-Jahr
2017
Verlag
Springer International Publishing
Buch
Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials

Print ISBN: 978-3-319-48931-5

Electronic ISBN: 978-3-319-48933-9

Copyright-Jahr: 2017

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-48933-9_23

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