01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014
Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures
Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2015
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