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Erschienen in: Semiconductors 1/2015

01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures

verfasst von: R. Kh. Zhukavin, K. A. Kovalevsky, M. L. Orlov, V. V. Tsyplenkov, N. A. Bekin, A. N. Yablonskiy, P. A. Yunin, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H. -W. Hübers, H. H. Radamson, V. N. Shastin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/2015

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Metadaten
Titel
Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures
verfasst von
R. Kh. Zhukavin
K. A. Kovalevsky
M. L. Orlov
V. V. Tsyplenkov
N. A. Bekin
A. N. Yablonskiy
P. A. Yunin
S. G. Pavlov
N. V. Abrosimov
H. -W. Hübers
H. H. Radamson
V. N. Shastin
Publikationsdatum
01.01.2015
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615010273

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