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01.03.2011 | Fabrication, Treatment, and Testing of Materials and Structures | Ausgabe 3/2011

Semiconductors 3/2011

The effect of composition on the formation of light-emitting Si nanostructures in SiO x layers on irradiation with swift heavy ions

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 3/2011
Autoren:
G. A. Kachurin, S. G. Cherkova, D. V. Marin, V. G. Kesler, V. A. Skuratov, A. G. Cherkov

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