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10.12.2015 | Ausgabe 2/2016

Journal of Electronic Materials 2/2016

The Effect of the Thickness of the Low Temperature AlN Nucleation Layer on the Material Properties of GaN Grown on a Double-Step AlN Buffer Layer by the MOCVD Method

Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials > Ausgabe 2/2016
Autoren:
Wei-Ching Huang, Chung-Ming Chu, Chi-Feng Hsieh, Yuen-Yee Wong, Kai-wei Chen, Wei-I Lee, Yung-Yi Tu, Edward-Yi Chang, Chang Fu Dee, B. Y. Majlis, S. L. Yap

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