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Über dieses Buch

In "The gm/ID Methodology, a Sizing Tool for Low-Voltage Analog CMOS Circuits", we compare the semi-empirical to the compact model approach. Small numbers of parameters make the compact model attractive for the model paves the way towards analytic expressions unaffordable otherwise. The E.K.V model is a good candidate, but when it comes to short channel devices, compact models are either inaccurate or loose straightforwardness. Because sizing requires basically a reliable large signal representation of MOS transistors, we investigate the potential of the E.K.V model when its parameters are supposed to be bias dependent. The model-driven and semi-empirical methods are compared considering the Intrinsic Gain Stage and a few more complex circuits. A series of MATLAB files found on extras-springer.com allow redoing the tests.

Inhaltsverzeichnis

Frontmatter

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 1. Sizing the Intrinsic Gain Stage

Paul G. A. Jespers

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 2. The Charge Sheet Model Revisited

Paul G. A. Jespers

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 3. Graphical Interpretation of the Charge Sheet Model

Paul G. A. Jespers

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 4. Compact Modeling

Paul G. A. Jespers

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 5. The Real Transistor

Paul G. A. Jespers

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 6. The Real Intrinsic Gain Stage

Paul G. A. Jespers

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 7. The Common-Gate Configuration

Paul G. A. Jespers

2010 | OriginalPaper | Buchkapitel

Chapter 8. Sizing the Miller Op. Amp.

Paul G. A. Jespers

Backmatter

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