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Optical and Quantum Electronics
Erschienen in: Optical and Quantum Electronics 2/2017

01.02.2017

The I–V zero-drift mechanism of quantum effect photodetector

verfasst von: B. Zhang, H. D. Lu, F. M. Guo

Erschienen in: Optical and Quantum Electronics | Ausgabe 2/2017

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Abstract

The zero-drift phenomenon of the I–V (current–voltage characteristics) of the quantum effect photodetector and the variation of zero-drift voltage are researched in the paper. The photovoltaic quantum dots infrared photodetector (QDIP) has the photocurrent zero-drift and the dark current oscillation. It has proved by simulated that related to the InAs QDs layer number. The photoconductive QDIP has a zero-drift that related to sweep voltage with time delay. With the time delay decreasing, the zero-drift voltage increases. When time delay is fixed, zero-drift voltage decreases at the illumination. In addition, the photodetector capacitance may be calculated by zero-drift voltage formula.
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Metadaten
Titel
The I–V zero-drift mechanism of quantum effect photodetector
verfasst von
B. Zhang
H. D. Lu
F. M. Guo
Publikationsdatum
01.02.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Optical and Quantum Electronics / Ausgabe 2/2017
Print ISSN: 0306-8919
Elektronische ISSN: 1572-817X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11082-016-0869-3

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