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Nano Research
Erschienen in: Nano Research 12/2020

05.09.2020 | Research Article

The origin of gate bias stress instability and hysteresis in monolayer WS2 transistors

verfasst von: Changyong Lan, Xiaolin Kang, You Meng, Renjie Wei, Xiuming Bu, SenPo Yip, Johnny C. Ho

Erschienen in: Nano Research | Ausgabe 12/2020

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Metadaten
Titel
The origin of gate bias stress instability and hysteresis in monolayer WS2 transistors
verfasst von
Changyong Lan
Xiaolin Kang
You Meng
Renjie Wei
Xiuming Bu
SenPo Yip
Johnny C. Ho
Publikationsdatum
05.09.2020
Verlag
Tsinghua University Press
Erschienen in
Nano Research / Ausgabe 12/2020
Print ISSN: 1998-0124
Elektronische ISSN: 1998-0000
DOI
https://doi.org/10.1007/s12274-020-3003-6

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