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01.06.2010 | Ausgabe 6/2010

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 6/2010

The roles of “free” and “trapped” charges in single-crystal rubrene organic field-effect transistors

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 6/2010
Autor:
H. L. Kwok

Abstract

This work examined the roles of “free” and “trapped” charges in single-crystal rubrene organic field-effect transistors. Using a 2-capacitor model, we determined the voltage drop across the insulator-semiconductor interface and the “free” and “trapped” hole densities. Comparable values were obtained when either the gate voltage or the dielectric constant of the insulator was varied. In our model, we assumed that the “free” holes and the “trapped” holes conducted current separately with the “trapped” holes associated with negative charge states in the insulator. Our model predicted that the turn-on voltage increased negatively when the dielectric constant of the insulator was small.

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