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01.02.2020 | Ausgabe 2/2020

Optical and Quantum Electronics 2/2020

Theoretical modeling of XBn T2SLs InAs/InAsSb/B-AlSb longwave infrared detector operating under thermoelectrical cooling

Zeitschrift:
Optical and Quantum Electronics > Ausgabe 2/2020
Autoren:
P. Martyniuk, K. Michalczewski, T. Y. Tsai, C. H. Wu, Y. R. Wu
Wichtige Hinweise
This article is part of the Topical Collection on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices.
Guest edited by Angela Thränhardt, Karin Hinzer, Weida Hu, Stefan Schulz, Slawomir Sujecki and Yuhrenn Wu.

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

The paper reports on the barrier longwave infrared nBnn+ detector based on InAs/InAsSb (xSb = 0.38) type-II superlattice operating under thermoelectrical cooling (> 190 K). That active layer exhibits cut-off wavelength ~ 10 μm at 230 K. AlSb was proved to minimize barrier in valence band in analysed temperature range and assumed architecture. The highest detectivity of the simulated structure was assessed at the level of ~ 109 cm Hz1/2/W at T ~ 230 K assuming immersion contribution. The barrier detector performance was compared to HgCdTe detectors with ~ 10.6 μm cut-off wavelength at 230 K and ~ 13 μm cut-off wavelength at 195 K.

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