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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 2/2019

10.04.2019

Theoretical study of the effect of polarization matching layers on the Shockley–Read–Hall recombination-induced dark current density in InGaN/GaN heterostructure solar cells

verfasst von: Basant Saini, Sugandha Sharma, Ravinder Kaur, Suchandan Pal, Avinashi Kapoor

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 2/2019

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Abstract

The physical effects of the polarization-induced charge density on the losses due to Shockley–Read–Hall (SRH) recombination in InGaN/GaN solar cells under conditions of low p-GaN doping density (~ 5 × 1017 cm−3) are discussed. Theoretical studies are performed for four p-i-n InxGa1−xN/GaN heterostructures (with x = 0.10, 0.15, 0.20, and 0.25) to analyze the effect of the polarization-induced interface charges on the built-in field present across the absorption region of the cell, which is otherwise responsible for the extraction of photogenerated charge carriers. Furthermore, the role of polarization matching layers, strategically placed at the i-InGaN/p-GaN interface, in countering the SRH recombination-induced dark current density is discussed based on simulations performed using APSYS software from Crosslight. The simulation results are validated using a mathematical model.
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Metadaten
Titel
Theoretical study of the effect of polarization matching layers on the Shockley–Read–Hall recombination-induced dark current density in InGaN/GaN heterostructure solar cells
verfasst von
Basant Saini
Sugandha Sharma
Ravinder Kaur
Suchandan Pal
Avinashi Kapoor
Publikationsdatum
10.04.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 2/2019
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-019-01333-3

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