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Journal of Electronic Materials
Erschienen in: Journal of Electronic Materials 12/2018

25.09.2018

Thermal Annealing Influence on the Properties of Heterostructure Based on 2 at.%Eu Doped SnO2 and Cu1.8S

verfasst von: João V. M. Lima, Miguel H. Boratto, Stevan B. O. dos Santos, Luis V. A. Scalvi

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 12/2018

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Metadaten
Titel
Thermal Annealing Influence on the Properties of Heterostructure Based on 2 at.%Eu Doped SnO2 and Cu1.8S
verfasst von
João V. M. Lima
Miguel H. Boratto
Stevan B. O. dos Santos
Luis V. A. Scalvi
Publikationsdatum
25.09.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 12/2018
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6687-6

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