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Journal of Materials Science: Materials in Electronics

Erschienen in:

14.02.2020

Thermal annealing of AlN films for piezoelectric applications

verfasst von: Etienne Herth, Dame Fall, Jean-Yves Rauch, Virginie Mourtalier, Grégory Guisbiers

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 6/2020

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Abstract

Aluminum nitride is an excellent electrical insulator and important piezoelectric material making it suitable for a wide range of applications in electronics and optoelectronics. However, to exhibit and preserve those piezoelectric properties, care has to be taken during manufacturing process. Indeed, the c-axis crystalline orientation of AlN is a necessary condition for piezoelectricity. Therefore, the goal of this paper is to compare AlN films grown on (100) silicon substrate by pulsed reactive DC sputtering at 400 °C on top of three different metallic underlayer electrodes (Ti/Pt, Cr/Pt, and AlN/Cr/Pt) by preserving the crystalline properties not only at room temperature but also at high temperatures. Among all deposited AlN films on top of the metallic underlayer electrode, only AlN/Cr/Pt has kept its crystallinity up to 950 °C.

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Titel: Thermal annealing of AlN films for piezoelectric applications
verfasst von: Etienne Herth
Dame Fall
Jean-Yves Rauch
Virginie Mourtalier
Grégory Guisbiers
Publikationsdatum: 14.02.2020
Verlag: Springer US
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 6/2020
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-020-02984-w

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