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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2016

01.08.2016 | Physics of Semiconductor Devices

Transition times between the extremum points of the current–voltage characteristic of a resonant tunneling diode with hysteresis

verfasst von: K. S. Grishakov, V. F. Elesin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2016

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Metadaten
Titel
Transition times between the extremum points of the current–voltage characteristic of a resonant tunneling diode with hysteresis
verfasst von
K. S. Grishakov
V. F. Elesin
Publikationsdatum
01.08.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616080121

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