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01.09.2018 | MICROCRYSTALLINE, NANOCRYSTALLINE, POROUS, AND COMPOSITE SEMICONDUCTORS | Ausgabe 9/2018

Semiconductors 9/2018

Transport and Photosensitivity in Structures: A Composite Layer of Silicon and Gold Nanoparticles on p-Si

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 9/2018
Autoren:
M. P. Teplyakov, O. S. Ken, D. N. Goryachev, O. M. Sreseli
Wichtige Hinweise
Translated by N. Korovin

Abstract

The temperature dependences of the current–voltage characteristics and photosensitivity of composite layers of silicon and gold nanoparticles on single-crystal silicon with p-type conductivity are investigated. The current transfer mechanisms in the structures and their influence on the photosensitivity of structures with different amounts of gold in the composite layer are determined.

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