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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 11/2017

01.11.2017 | XXI International Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhny Novgorod, March 13–16, 2017

Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects

verfasst von: I. Yu. Zabavichev, E. S. Obolenskaya, A. A. Potekhin, A. S. Puzanov, S. V. Obolensky, V. A. Kozlov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 11/2017

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Metadaten
Titel
Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects
verfasst von
I. Yu. Zabavichev
E. S. Obolenskaya
A. A. Potekhin
A. S. Puzanov
S. V. Obolensky
V. A. Kozlov
Publikationsdatum
01.11.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 11/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617110288

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